Samsung ha presentado públicamente su memoria HBM4 por primera vez, marcando su regreso al competitivo mercado de la memoria de alto ancho de banda (HBM). Este avance se dio a conocer durante la Exposición de Semiconductores (SEDEX) 2025 en Seúl, donde Samsung exhibió sus módulos HBM4 junto a SK hynix, su principal competidor en este segmento.
HBM4 de Samsung: la respuesta al dominio de SK hynix y Micron
La memoria HBM4 de Samsung destaca por su rendimiento y eficiencia. Se espera que ofrezca velocidades de hasta 11 Gbps, superando a sus rivales actuales. Además, la empresa ha alcanzado un rendimiento del 90% en las obleas lógicas de HBM4, lo que indica una producción en masa que se haría sin demoras. Samsung también ha implementado estrategias para garantizar una adopción temprana de HBM4, como mantener precios competitivos y ofrecer mayores capacidades de producción.
Este movimiento es crucial para Samsung, ya que busca recuperar terreno en el mercado de la memoria DRAM, donde SK hynix posee una amplia cuota de mercado y Micron ha superado a Samsung en términos de rendimiento. La competencia en el mercado de HBM4 se intensifica, con Micron liderando con una memoria que alcanza los 2,8 TB/s de ancho de banda, superando el estándar JEDEC que era de 2 TB/s.
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Samsung también ha comenzado a desarrollar versiones personalizadas de HBM4 para clientes como Microsoft y Meta, con el objetivo de iniciar la producción en masa a finales de este año. Con estos avances, Samsung busca consolidar su posición en el mercado de la memoria de alto rendimiento y satisfacer la creciente demanda impulsada por aplicaciones de inteligencia artificial y centros de datos de gran escala.
El lanzamiento de HBM4 representa un paso estratégico para Samsung, que aspira no solo a competir con SK Hynix y Micron, sino también a liderar la innovación en módulos de memoria de alta velocidad, ofreciendo soluciones eficientes para la próxima generación de servidores, GPUs y sistemas de cómputo avanzados. Os mantendremos informados.
